1.       產(chǎn)品概述

      PT8P3103 是一款 RISC 內(nèi)核浆竭，A/D 型 8 位 MCU，其內(nèi)置 2K*16bit OTP ROM、112*8bit SRAM、 12 位高精度 ADC、RTC昧辽、TIMER、PWM 等功能羽捻。主要應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品袭澎。

2.       主要特性

工作溫度

     -     -40℃ ~ +85℃

工作電壓

     -     8MHz @2.9-5.5V

     -     4MHz @2.0-5.5V

     -     2MHz @1.8-5.5V

-     RISC 內(nèi)核够堆，支持 71條指令

-     程序存儲器 OTP ROM：2K*16bit（燒錄 1 次） 1K*16bit（燒錄 2 次） 

-     數(shù)據(jù)存儲器 SRAM：112*8bit

-     8級硬件堆棧

-     復(fù)位地址位于 000h

-     4 檔指令周期分頻可設(shè)：2T/4T/8T/16T 分頻

-     支持直接與間接數(shù)據(jù)尋址方式

中斷

    -     7 種中斷源：TIMER0，TIMER1鞭眠，TIMER2吩秫，INT0，INT1胞仅，ADC蚪桐，LVD

    -     22級中斷優(yōu)先級可設(shè)，高優(yōu)先級中斷入口地址：018h唁映，低優(yōu)先級中斷入口地址：008h 

I/O口

-    14 個雙向 I/O 端口紫侵，帶 SMIT 輸入，內(nèi)置上拉電阻及下拉電阻

-    P0 可配置為開漏輸出

-    所有端口均支持輸入電平變化喚醒功能

-    P15 與 P14蜂大，P13 與 P12 可配置為并聯(lián)大電流口闽铐，增大驅(qū)動能力 

-    上/下拉電阻可同時配置使能輸出 1/2VDD 電壓，用以軟件模擬 LCD 驅(qū)動

-    P07 只可配置為開漏輸出奶浦，無 CMOS 輸出 

ADC

-    12 位 ADC

-    13 路外部輸入通道（ADC0 ~ADC12）兄墅，2 路內(nèi)部通道（內(nèi)部 VDD/4，內(nèi)部 GND）

-    3 種參考電壓可選：VDD澳叉、外部參考電壓 VREF隙咸、內(nèi)部基準電壓（1.024V、2.048V成洗、 3.072V五督、4.096V） 

定時器/PWM

-    TIMER0：8 位自動裝載型，支持預(yù)分頻 

-    TIMER1：8 位自動裝載型瓶殃，支持預(yù)分頻充包，5 路 PWM 輸出（PWM0~PWM4） 

-    TIMER2：8 位自動裝載型，支持預(yù)分頻遥椿，可實現(xiàn) RTC 計數(shù)產(chǎn)生 8 種精準定時時間（0.5S基矮、 1S、2S舶卧、4S熬慎、10S、20S乔胆、30S桃镐、60S）

-    PWM1 帶死區(qū)控制的互補 PWM 輸出，死區(qū)時間可調(diào)

-    設(shè)置端口并聯(lián)后锨蹄，PWM0杈鸵、PWM1 驅(qū)動瞬態(tài)電流大于 20mA

復(fù)位及保護系統(tǒng)

-    3 種系統(tǒng)復(fù)位方式：上電復(fù)位(POR)、低壓復(fù)位(LVR)、WDT 溢出復(fù)位

-    8 級 LVR 閾值可選：關(guān)閉吠冒、1.8V紧视、2.0V、2.2V焙恬、2.4V硝荚、2.7V、2.9V琢窗、3.6V（誤差±0.1V）

-    4 檔 WDT 溢出時間可選：8ms焙蹭、16ms、128ms嫂伞、256ms

-    8 級 LVD 閾值可選：2.0V孔厉、2.2V、2.5V帖努、2.7V撰豺、2.9V、3.2V拼余、4.0V污桦、4.3V（誤差±0.1V） 

資源映射

    -    PWM0 可映射至所有非 PWM 輸出的 I/O 端口

    -    INT0 可映射至所有非外部中斷的 I/O 端口

省電模式

-   IDLE 模式：僅CPU 停止，所有中斷匙监、WDT 溢出凡橱、輸入 IO 電平變化可喚醒

-   STOP 模式：CPU 和外設(shè)都停止，外部中斷亭姥、RTC 中斷梭纹、WDT 溢出、輸入 IO 電平變化可喚醒

時鐘系統(tǒng)

-   內(nèi)部 RC 高頻振蕩器 16MHz 精度：±1.5%(typ)

-   內(nèi)部 RC 低頻振蕩器 32KHz 精度：±10%(typ) 

-   外部晶振 32.768KHz

抗干擾能力

-    HBM ESD：>4KV

封裝形式